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STD30NF06LT4  与  IPD350N06L G  区别

型号 STD30NF06LT4 IPD350N06L G
唯样编号 A3-STD30NF06LT4 A33-IPD350N06L G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 35mΩ@29A,10V
上升时间 - 21ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 68W
Qg-栅极电荷 - 10nC
栅极电压Vgs - 10V
典型关闭延迟时间 - 29ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id - 29A
工作温度 - -55°C~175°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS2
长度 - 6.5mm
下降时间 - 20ns
典型接通延迟时间 - 6ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 10,000 5,000
工厂交货期 5 - 7天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥4.7912
50+ :  ¥4.2451
100+ :  ¥3.7755
500+ :  ¥3.7755
1,000+ :  ¥3.7659
2,000+ :  ¥3.7468
4,000+ :  ¥3.7276
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 当前型号
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.1411 

阶梯数 价格
1: ¥2.1411
100: ¥2.02
500: ¥1.9056
1,000: ¥1.7978
2,000: ¥1.696
8,000: ¥1.6453
15,000 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥5.7782 

阶梯数 价格
30: ¥5.7782
50: ¥5.1075
100: ¥4.5517
500: ¥4.5421
1,000: ¥4.5325
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.4846
7,301 对比
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.749 

阶梯数 价格
30: ¥1.749
100: ¥1.342
1,250: ¥1.144
2,500: ¥0.968
6,041 对比
IRFR5305TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.871 

阶梯数 价格
20: ¥2.871
100: ¥2.211
1,000: ¥1.925
2,000: ¥1.815
5,935 对比
IPD350N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06LGBTMA1_6.5mm TO-252-3

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比

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